ASML确认今年将向台积电交付价值3.8亿美元的高NA EUV光刻机
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6月6日消息,近日,全球领先的半导体设备制造商ASML已成功向英特尔交付并安装了世界首台商用High-NA EUV光刻机。英特尔院士马克・菲利普斯(Mark Phillips)确认,该机器预计年内将正式投入使用。
相较于英特尔的积极态度,全球芯片代工巨头台积电在采用这项新技术上显得更为谨慎。今年早些时候,在荷兰的一场活动中,当被问及是否有购买此类设备的计划时,台积电表示反对。该公司曾声明,在未来几年内并无需求引入高端的EUV光刻机,主要考虑到其高昂的价格。有分析师甚至预测,台积电可能要等到2030年或更晚才会采用High-NA EUV技术。 然而,经过数月的讨论与考量,台积电似乎已转变立场。ASML的发言人莫妮克・莫尔斯(Monique Mols)透露,公司计划在今年内向台积电交付一台价值3.8亿美元(约合27.53亿元人民币)的High-NA EUV光刻机。ASML首席财务官罗杰・达森(Roger Dassen)也证实,这台尖端设备将在年底前送达台积电,同时英特尔也将收到他们的设备。这一消息发布后,ASML的股价应声上涨超过6%。
英特尔在2022年便宣布购买了5台此类设备(型号为TWINSCAN NXE:3600D),旨在为2025年生产的Intel 18A芯片做准备。 在芯片制造领域,先进的技术光刻是衡量生产能力的关键因素。High-NA光刻技术有望进一步缩小芯片尺寸,据称能够降低66%的尺寸大小。在当前芯片制造中,尽管3nm和5nm工艺已不直接代表实际的栅极宽度,但行业仍在不断追求更小的尺寸。 据悉,新型EUV系统具有0.55的数值孔径,相较于之前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统,其精度有了显著提升,能够实现更为精细的图案化。 ASML官方还指出,这种High-NA机器的体积将比现有设备大出30%,而现有的机器已经相当庞大,甚至需要三架波音747才能运输。 另一方面,台积电在2nm工艺节点上的进展颇为顺利。公司计划于2025年下半年推出N3X和N2制程,并预计在2026年下半年开始量产N2P和A16制程。与3nm工艺不同,台积电的2nm工艺将采用环绕栅极场效应晶体管(GAAFET),据称相较于3nm工艺,其性能将提升10%至15%,同时功耗可降低25%至30%。 |
